Ph. Godignon: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (6)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

The electron irradiation effects on silicon gate dioxide used for power MOS devices

M. Badila, Ph. Godignon, J. Millan, S. Berberich, G. Brezeanu

Журнал:

Microelectronics Reliability

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 129 KB

english, 2001

2

Optimal layout for 6H–SiC VJFET controlled current limiting device

Tournier, D., Jorda, X., Godignon, Ph., Planson, D., Chante, J.P., Sarrus, F.

Журнал:

Diamond and Related Materials

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 903 KB

english, 2003

3

Current–voltage characteristics of large area 6H-SiC pin diodes

M Badila, B Tudor, Gh Brezeanu, M.L Locatelli, J.P Chante, J Millan, Ph Godignon, A Lebedev, V Banu

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 157 KB

english, 1999

4

Effect of ion implantation parameters on Al dopant redistribution in SiC after annealing: Defect recovery and electrical properties of p-type layers

Lazar, M., Raynaud, C., Planson, D., Chante, J.-P., Locatelli, M.-L., Ottaviani, L., Godignon, Ph.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 454 KB

english, 2003

5

[IEEE CAS '99 Proceedings. 1999 International Semiconductor Conference - Sinaia, Romania (5-9 Oct. 1999)] CAS '99 Proceedings. 1999 International Semiconductor Conference (Cat. No.99TH8389) - A nearly ideal SiC Schottky barrier device edge termination

Brezeanu, G., Badila, M., Millan, J., Godignon, Ph., Locatelli, M.L., Chante, J.P., Lebedev, A., Dilimot, G., Enache, I., Bica, G., Banu, V.

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 332 KB

english, 1999

6

[IEEE CAS '99 Proceedings. 1999 International Semiconductor Conference - Sinaia, Romania (5-9 Oct. 1999)] CAS '99 Proceedings. 1999 International Semiconductor Conference (Cat. No.99TH8389) - A preliminary study on VDMOS and IGBT encapsulation, reliability and lifetime killing

Badila, M., Jorda, X., Millan, J., Godignon, Ph., Banu, V., Brezeanu, Gh., Spenea, M.U., Staicu, L., Iliescu, E., Bazu, M., Codreanu, C.

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 305 KB

english, 1999